ROHM Product Detail

QH8K51
100V Nch+Nch Kleinsignal-MOSFET

Die QH8K51 ist ein MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand für Schaltanwendungen.

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Produktdetails

 
Teilenummer | QH8K51TR
Status | Empfohlen
Gehäuse | TSMT8
Gehäusetyp | Taping
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
RoHS | Ja
Product Longevity Program | 9 Years

Spezifikationen:

Package Code

TSMT8

Number of terminal

8

Polarity

Nch+Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

100

Drain Current ID[A]

2

RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)

0.26

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)

0.25

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)

0.24

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)

0.26

Total gate charge Qg[nC]

4.7

Power Dissipation (PD)[W]

1.5

Drive Voltage[V]

4

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min)[℃]

-55

Storage Temperature (Max)[℃]

150

Package Size [mm]

3.0x2.8 (t=0.85)

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Eigenschaften:

  • Low on - resistance.
  • Small Surface Mount Package (TSMT8).
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