QH8K51
100V Dualer N-Kanal Kleinsignal-MOSFET
QH8K51
100V Dualer N-Kanal Kleinsignal-MOSFET
Der QH8K51 ist ein MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand für Schaltanwendungen. Neu entwickelte Gehäuseserie mit rückseitiger Wärmeableitung, Dual-MOSFET ideal für Motorantriebe.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TSMT8
Number of terminal
8
Polarity
N+N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
100
Drain Current ID[A]
2
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)
0.26
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.25
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.24
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.26
Total gate charge Qg[nC]
4.7
Power Dissipation (PD)[W]
1.5
Drive Voltage[V]
4
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.8x3.0 (t=0.85)
Eigenschaften:
- Geringer Durchlasswiderstand.
- Kleines oberflächenmontiertes Gehäuse (TSMT8)
