QH8KA4
30V Dual-N-Kanal-Mittelstrom-MOSFET
QH8KA4
30V Dual-N-Kanal-Mittelstrom-MOSFET
Der Mittelleistungs-MOSFET QH8KA4 eignet sich für Schalt- und Batterieanwendungen.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TSMT8
Applications
Power Supply
Number of terminal
8
Polarity
N+N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
9
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)
0.017
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)
0.013
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0125
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.017
Total gate charge Qg[nC]
12
Power Dissipation (PD)[W]
1.5
Drive Voltage[V]
2.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.8x3.0 (t=0.85)
Eigenschaften:
- Geringer Einschaltwiderstand.
- Kleines oberflächenmontierbares Gehäuse.
- Bleifreie Verbleiung; RoHS-konform.
- Halogenfrei.
- 100 % Lawinen-getestet.
