QH8KB6
40V, 8A, Dual-N-Kanal, TSMT8, Power-MOSFET
QH8KB6
40V, 8A, Dual-N-Kanal, TSMT8, Power-MOSFET
QH8KB6 ist ein Dual-N-Kanal-MOSFET, der eine Spannungsfestigkeit von 40 V unterstützt. Er wurde für 24-V-Eingangsgeräte wie Industrieautomatisierungsgeräte und Motoren in Basisstationen (Lüfter) entwickelt. Dieses Produkt besteht aus einem N-Kanal-MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand, der im Vergleich zu herkömmlichen ROHM-Produkten um 58 % reduziert ist. Dies trägt zum geringen Stromverbrauch verschiedener Geräte bei.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TSMT8
Number of terminal
8
Polarity
N+N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
40
Drain Current ID[A]
8
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0164
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0137
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0164
Total gate charge Qg[nC]
5
Power Dissipation (PD)[W]
1.5
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.8x3.0 (t=0.85)
Eigenschaften:
- Geringer Einschaltwiderstand
- Kleines Oberflächenmontagegehäuse (TSMT8)
- Bleifreie Verbleiung; RoHS-konform
- Halogenfrei
