QH8KC5
60V 3A, Dualer N-Kanal, TSMT8, Leistungs-MOSFET
QH8KC5
60V 3A, Dualer N-Kanal, TSMT8, Leistungs-MOSFET
Der QH8KC5 ist ein Dual-N-Kanal-MOSFET, der eine Spannungsfestigkeit von 60 V unterstützt. Er wurde für 24-V-Eingangsgeräte wie Fabrikautomationsgeräte und Motoren, die auf Basisstationen montiert sind (Lüfter), entwickelt. Dieses Produkt besteht aus einem N-Kanal-MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand, der im Vergleich zu herkömmlichen ROHM-Produkten um 58 % reduziert wurde. Dies trägt zu einem geringen Stromverbrauch verschiedener Geräte bei.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TSMT8
Number of terminal
8
Polarity
N+N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
60
Drain Current ID[A]
3
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.1
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.07
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.1
Total gate charge Qg[nC]
1.7
Power Dissipation (PD)[W]
1.5
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.8x3.0 (t=0.85)
Eigenschaften:
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Kleines oberflächenmontierbares Gehäuse (TSMT8)
- Bleifreie Anschlussbeschichtung; RoHS-konform
- Halogenfrei
