ROHM Product Detail

QH8KE6
100V 4A, Dual Nch+Nch, TSMT8, Power MOSFET

QH8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for Switching and Motor drives applications.

Data Sheet Kaufen *
* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.

Produktdetails

 
Teilenummer | QH8KE6TCR
Status | Empfohlen
Gehäuse | TSMT8
Gehäusetyp | Taping
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Package Code

TSMT8

Number of terminal

8

Polarity

Nch+Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

100

Drain Current ID[A]

4

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)

0.055

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)

0.043

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)

0.055

Total gate charge Qg[nC]

3.3

Power Dissipation (PD)[W]

1.5

Drive Voltage[V]

4.5

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min)[℃]

-55

Storage Temperature (Max)[℃]

150

Package Size [mm]

3.0x2.8 (t=0.85)

Find Similar

Eigenschaften:

  • Low on - resistance
  • Small Surface Mount Package (TSMT8)
  • Pb-free lead plating ; RoHS compliant
  • Halogen Free
X

Most Viewed