QH8MA3
30 V komplementärer Leistungs-MOSFET
QH8MA3
30 V komplementärer Leistungs-MOSFET
Der Middle-Power-MOSFET QH8MA3 ist für Schaltnetzteile geeignet.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TSMT8
Applications
Motor
Number of terminal
8
Polarity
N+P
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
7
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.035
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.022
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.035
Total gate charge Qg[nC]
3.7
Power Dissipation (PD)[W]
2.5
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.8x3.0 (t=0.85)
Eigenschaften:
· Geringer Durchlasswiderstand.· Kleines Gehäuse für Oberflächenmontage (TSMT8)
· Bleifreie Verbleiung; RoHS-konform.
· Halogenfrei
