QH8ME5
100V 2A, komplementärer TSMT8 Power MOSFET
QH8ME5
100V 2A, komplementärer TSMT8 Power MOSFET
QH8ME5 ist ein MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand, ideal für Schaltanwendungen.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TSMT8
Number of terminal
8
Polarity
N+P
Drain-Source Voltage VDSS[V]
100
Drain Current ID[A]
2
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.21
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.155
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.21
Total gate charge Qg[nC]
1.6
Power Dissipation (PD)[W]
1.5
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.8x3.0 (t=0.85)
Eigenschaften:
- Geringer Einschaltwiderstand
- Kleines oberflächenmontiertes Gehäuse (TSMT8)
- Pb-freie Beschichtung; RoHS-konform
- Halogenfrei
