ROHM Product Detail

QS5K2
2,5 V Antriebs-Nch+Nch-MOSFET

Komplexe MOSFETs (N+N) werden von der Mikroprozessorfertigung als Geräte mit niedrigem Einschaltwiderstand konzipiert und sind für eine breite Auswahl von Anwendungen nützlich. Eine breite Palette mit kompakten Typen, Hochleistungstypen und komplexen Typen decken sämtliche Bedürfnisse auf dem Markt ab.

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Produktdetails

 
Teilenummer | QS5K2TR
Status | Aktiv
Gehäuse | TSMT5
Gehäusetyp | Taping
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Package Code

SOT-25T

Number of terminal

5

Polarity

Nch+Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

30

Drain Current ID[A]

2

RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)

0.11

RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)

0.076

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)

0.071

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)

0.11

Total gate charge Qg[nC]

2.8

Power Dissipation (PD)[W]

1.25

Drive Voltage[V]

2.5

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min)[℃]

-55

Storage Temperature (Max)[℃]

150

Package Size [mm]

2.9x2.8 (t=0.95)

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