QS5U13
2,5 V Antriebs-Nch+SBD-MOSFET
Für neue Designs nicht empfohlen
QS5U13
2,5 V Antriebs-Nch+SBD-MOSFET
Produkte, die nicht für neue Designs verwendet werden können (Nicht empfohlen für Designabweichungen).
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
SOT-25T
Number of terminal
5
Polarity
Nch+Schottky
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
2
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)
0.11
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)
0.076
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.071
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.11
Total gate charge Qg[nC]
2.8
Power Dissipation (PD)[W]
0.9
Drive Voltage[V]
2.5
Reverse voltage VR (Diode) [V]
20
Forward Current IF (Diode) [A]
0.5
Forward Current Surge Peak IFSM (Diode) [A]
2
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.8x2.9 (t=1.0)
Eigenschaften:
· Mittelleistungs-MOSFET mit mehreren Schottky-Barriere-Dioden· Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform
