QS5U17
2,5 V Antriebs-Nch+SBD-MOSFET

ROHMs MOSFETs haben durch die Mikrobearbeitungstechnologien einen geringen RDS-(Einschalt)-Widerstand und sind in verschiedenen Ausführungen erhältlich, wie die Hybrid-Ausführung (MOSFET + Schottky-Diode), sodass unterschiedliche Marktbedürfnisse erfüllt werden.

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Produktdetails

 
Teilenummer | QS5U17TR
Status | Aktiv
Gehäuse | TSMT5
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

SOT-25T

Package Size [mm]

2.9x2.8 (t=1)

Number of terminal

5

Polarity

Nch+Schottky

Drain-Source Voltage VDSS[V]

30

Drain Current ID[A]

2

RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)

0.11

RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)

0.076

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.071

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.11

Total gate charge Qg[nC]

2.8

Power Dissipation (PD)[W]

0.9

Drive Voltage[V]

2.5

Reverse voltage VR (Diode) [V]

20

Forward Current IF (Diode) [A]

1

Forward Current Surge Peak IFSM (Diode) [A]

3

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

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