4 V Antriebs-Pch+SBD-MOSFET - QS5U33
ROHMs MOSFETs haben durch die Mikrobearbeitungstechnologien einen geringen RDS-(Einschalt)-Widerstand und sind in verschiedenen Ausführungen erhältlich, wie die Hybrid-Ausführung (MOSFET + Schottky-Diode), sodass unterschiedliche Marktbedürfnisse erfüllt werden.
Spezifikationen:
Grade
Standard
Package Code
SOT-25T
Package Size[mm]
2.9x2.8 (t=1.0)
Number of terminal
5
Polarity
Pch+Schottky
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-30
Drain Current ID[A]
-2.0
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)
0.16
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
0.145
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.095
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.16
Total gate charge Qg[nC]
3.4
Power Dissipation (PD)[W]
0.9
Drive Voltage[V]
-4.0
Reverse voltage VR (Diode) [V]
20.0
Forward Current IF (Diode) [A]
1.0
Forward Current Surge Peak IFSM (Diode) [A]
3.0
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Eigenschaften:
· Mittelleistungs-MOSFET mit mehreren Schottky-Barriere-Dioden· Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform