QS5U33
4 V Antriebs-Pch+SBD-MOSFET

ROHMs MOSFETs haben durch die Mikrobearbeitungstechnologien einen geringen RDS-(Einschalt)-Widerstand und sind in verschiedenen Ausführungen erhältlich, wie die Hybrid-Ausführung (MOSFET + Schottky-Diode), sodass unterschiedliche Marktbedürfnisse erfüllt werden.

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Produktdetails

 
Teilenummer | QS5U33TR
Status | Aktiv
Gehäuse | TSMT5
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

SOT-25T

Package Size [mm]

2.9x2.8 (t=1)

Number of terminal

5

Polarity

Pch+Schottky

Drain-Source Voltage VDSS[V]

-30

Drain Current ID[A]

-2.0

RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)

0.16

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.145

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.095

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.16

Total gate charge Qg[nC]

3.4

Power Dissipation (PD)[W]

0.9

Drive Voltage[V]

-4.0

Reverse voltage VR (Diode) [V]

20.0

Forward Current IF (Diode) [A]

1.0

Forward Current Surge Peak IFSM (Diode) [A]

3.0

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

· Mittelleistungs-MOSFET mit mehreren Schottky-Barriere-Dioden
· Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform
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