QS8J13
-12 V Pch+Pch-Mittelleistungs-MOSFET
QS8J13
-12 V Pch+Pch-Mittelleistungs-MOSFET
Der Leistungs-MOSFET QS8J13 ist geeignet für Schaltnetzteil.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TSMT8
Applications
Switching
Number of terminal
8
Polarity
Pch+Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-12
Drain Current ID[A]
-5.5
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ)
0.029
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)
0.019
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.015
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.029
Total gate charge Qg[nC]
60
Power Dissipation (PD)[W]
1.5
Drive Voltage[V]
-1.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.8x3.0 (t=0.85)
Eigenschaften:
· Kleiner Durchlasswiderstand· Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse (TSMT8)
· Bleifreier Leitungsüberzug, RoHS-konform
· Halogenfrei
