QS8J13
-12V Dual P-Kanal Mittelstrom-MOSFET
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QS8J13
-12V Dual P-Kanal Mittelstrom-MOSFET
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Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TSMT8
Applications
Switching
Number of terminal
8
Polarity
P+P
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-12
Drain Current ID[A]
-5.5
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ)
0.029
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)
0.019
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.015
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.029
Total gate charge Qg[nC]
60
Power Dissipation (PD)[W]
1.5
Drive Voltage[V]
-1.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.8x3.0 (t=0.85)
Eigenschaften:
· Geringer Einschaltwiderstand.· Kleines Gehäuse zur Oberflächenmontage (TSMT8)
· Bleifreie Verbleiung; RoHS-konform.
· Halogenfrei
