QS8J5
4 V Antriebs-Pch+Pch-MOSFET

Komplexe MOSFETs (P+P) werden von der Mikroprozessorfertigung als Geräte mit niedrigem Einschaltwiderstand konzipiert und sind für eine breite Auswahl von Anwendungen nützlich. Eine breite Palette mit kompakten Typen, Hochleistungstypen und komplexen Typen decken sämtliche Bedürfnisse auf dem Markt ab.

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Produktdetails

 
Teilenummer | QS8J5TR
Status | Aktiv
Gehäuse | TSMT8
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

TSMT8

Package Size [mm]

3.0x2.8 (t=0.8)

Applications

Power Supply

Number of terminal

8

Polarity

Pch+Pch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

-30

Drain Current ID[A]

-5.0

RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)

0.045

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.04

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.028

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.045

Total gate charge Qg[nC]

10.0

Power Dissipation (PD)[W]

1.5

Drive Voltage[V]

-4.0

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

· 4-V-Motor
· P-Kanal+P-Kanal-Mittelleistungs-MOSFET
· Schnelle Schaltgeschwindigkeit
· Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform

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Technische Artikel

Schematic Design & Verification

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Design Tools

Models

  • QS8J5 SPICE Model
  • QS8J5 Thermal Model (lib)
  • How to Create Symbols for PSpice Models

Characteristics Data

  • ESD Data

Packaging & Qualität

Package Information

  • Package Dimensions
  • Inner Structure
  • Taping Information
  • Explanation for Marking
  • Condition of Soldering
  • Moisture Sensitivity Level
  • Anti-Whisker formation

Manufacturing Data

  • Reliability Test Result

Environmental Data

  • Constitution Materials List
  • About Flammability of Materials
  • About Non-use SVHC under Reach Regulation : Please contact us by filling in the form.
  • Compliance of the RoHS / ELV directive

Export Information

  • About Export Regulations