QS8J5
4 V Antriebs-Pch+Pch-MOSFET

Komplexe MOSFETs (P+P) werden von der Mikroprozessorfertigung als Geräte mit niedrigem Einschaltwiderstand konzipiert und sind für eine breite Auswahl von Anwendungen nützlich. Eine breite Palette mit kompakten Typen, Hochleistungstypen und komplexen Typen decken sämtliche Bedürfnisse auf dem Markt ab.

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Produktdetails

 
Teilenummer | QS8J5TR
Status | Aktiv
Gehäuse | TSMT8
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Package Code

TSMT8

Applications

Power Supply

Number of terminal

8

Polarity

Pch+Pch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

-30

Drain Current ID[A]

-5

RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)

0.045

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.04

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.028

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.045

Total gate charge Qg[nC]

10

Power Dissipation (PD)[W]

1.5

Drive Voltage[V]

-4

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Package Size [mm]

3x2.8 (t=0.85)

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