QS8K13
4 V Antriebs-Nch+Nch-MOSFET
QS8K13
QS8K13
4 V Antriebs-Nch+Nch-MOSFET
Komplexe MOSFETs (N+N) werden von der Mikroprozessorfertigung als Geräte mit niedrigem Einschaltwiderstand konzipiert und sind für eine breite Auswahl von Anwendungen nützlich. Eine breite Palette mit kompakten Typen, Hochleistungstypen und komplexen Typen decken sämtliche Bedürfnisse auf dem Markt ab.
Data Sheet
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Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TSMT8
Applications
Switching
Number of terminal
8
Polarity
Nch+Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
6
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)
0.028
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
0.025
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.02
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.028
Total gate charge Qg[nC]
5.5
Power Dissipation (PD)[W]
1.5
Drive Voltage[V]
4
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
3x2.8 (t=0.85)
Eigenschaften:
· 4-Ｖ-Motor· N-Kanal+N-Kanal-Mittelleistungs-MOSFET
· Schnelle Schaltgeschwindigkeit
· Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform
