ROHM Product Detail

QS8K13
4 V Antriebs-Nch+Nch-MOSFET

Komplexe MOSFETs (N+N) werden von der Mikroprozessorfertigung als Geräte mit niedrigem Einschaltwiderstand konzipiert und sind für eine breite Auswahl von Anwendungen nützlich. Eine breite Palette mit kompakten Typen, Hochleistungstypen und komplexen Typen decken sämtliche Bedürfnisse auf dem Markt ab.

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Produktdetails

 
Teilenummer | QS8K13TCR
Status | Aktiv
Gehäuse | TSMT8
Gehäusetyp | Taping
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Package Code

TSMT8

Applications

Switching

Number of terminal

8

Polarity

Nch+Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

30

Drain Current ID[A]

6

RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)

0.028

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)

0.025

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)

0.02

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)

0.028

Total gate charge Qg[nC]

5.5

Power Dissipation (PD)[W]

1.5

Drive Voltage[V]

4

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min)[℃]

-55

Storage Temperature (Max)[℃]

150

Package Size [mm]

3.0x2.8 (t=0.85)

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