QS8K21
4V Drive Dual-N-Kanal-MOSFET
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QS8K21
4V Drive Dual-N-Kanal-MOSFET
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Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TSMT8
Number of terminal
8
Polarity
N+N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
45
Drain Current ID[A]
4
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)
0.053
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.048
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.038
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.053
Total gate charge Qg[nC]
5.4
Power Dissipation (PD)[W]
1.5
Drive Voltage[V]
4
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.8x3.0 (t=0.85)
Eigenschaften:
· 4V-Treibertyp· Zwei N-Kanal Mittelleistungs-MOSFETs
· Schnelle Schaltgeschwindigkeit
· Kleines Gehäuse für Oberflächenmontage
· Bleifrei/RoHS-konform
