60V Nch+Pch MOSFET - QS8M31

QS8M31 is complex type MOSFET(P+N) for switching application.

* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung. Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Teilenummer | QS8M31TR
Status | Aktiv
Gehäuse | TSMT8
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

TSMT8

Package Size[mm]

3.0x2.8 (t=0.8)

Number of terminal

8

Polarity

Nch+Pch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

60

Drain Current ID[A]

3.0

RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)

0.098

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.093

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.08

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.098

Total gate charge Qg[nC]

4.0

Power Dissipation (PD)[W]

1.5

Drive Voltage[V]

4.0

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

· Kleiner Durchlasswiderstand
· Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse (TSMT8)
· Bleifreier Leitungsüberzug, RoHS-konform
· Halogenfrei