QS8M31
60 V Nch+Pch MOSFET

Der QS8M31 ist ein komplexer MOSFET (P+N) für Schaltanwendungen.

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Produktdetails

 
Teilenummer | QS8M31TR
Status | Aktiv
Gehäuse | TSMT8
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

TSMT8

Package Size [mm]

3x2.8 (t=0.85)

Number of terminal

8

Polarity

Nch+Pch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

60

Drain Current ID[A]

3.0

RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)

0.098

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.093

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.08

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.098

Total gate charge Qg[nC]

4.0

Power Dissipation (PD)[W]

1.5

Drive Voltage[V]

4.0

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

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