SH8J62
4V Drive Dualer P-Kanal-MOSFET
SH8J62
4V Drive Dualer P-Kanal-MOSFET
MOSFETs vom komplexen Typ (P+P) werden als Geräte mit niedrigem Einschaltwiderstand mittels Mikroverarbeitungstechnologien hergestellt, die für eine Vielzahl von Anwendungen nützlich sind. Breites Angebot an kompakten Typen, Hochleistungstypen und komplexen Typen, um den verschiedenen Marktanforderungen gerecht zu werden.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
SOP8
Applications
Power Supply
Number of terminal
8
Polarity
P+P
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-30
Drain Current ID[A]
-4.5
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)
0.06
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.055
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.04
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.06
Total gate charge Qg[nC]
8
Power Dissipation (PD)[W]
2
Drive Voltage[V]
-4
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
6.0x5.0 (t=1.75)
Eigenschaften:
· 4V-Antriebstyp· Dualer P-Kanal-MOSFET mittlerer Leistung
· Schnelle Schaltgeschwindigkeit
· Kleines Oberflächenmontagegehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform
