SH8J65
4 V Antriebs-Pch+Pch-MOSFET
SH8J65
4 V Antriebs-Pch+Pch-MOSFET
Komplexe MOSFETs (P+P) werden von der Mikroprozessorfertigung als Geräte mit niedrigem Einschaltwiderstand konzipiert und sind für eine breite Auswahl von Anwendungen nützlich. Eine breite Palette mit kompakten Typen, Hochleistungstypen und komplexen Typen decken sämtliche Bedürfnisse auf dem Markt ab.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
SOP8
Applications
Power Supply
Number of terminal
8
Polarity
Pch+Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-30
Drain Current ID[A]
-7
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)
0.031
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.029
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0215
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.031
Total gate charge Qg[nC]
18
Power Dissipation (PD)[W]
2
Drive Voltage[V]
-4
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
5.0x6.0 (t=1.75)
Eigenschaften:
· 4-Ｖ-Motor· P-Kanal+P-Kanal-Mittelleistungs-MOSFET
· Schnelle Schaltgeschwindigkeit
· Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform
