SH8J65
4V Dual-P-Kanal MOSFET
SH8J65
4V Dual-P-Kanal MOSFET
MOSFETs des komplexen Typs (P+P) werden durch Mikroprozesstechnologien als Bauelemente mit geringem Einschaltwiderstand hergestellt, die für eine Vielzahl von Anwendungen nützlich sind. Eine breite Palette an kompakten, leistungsstarken und komplexen Typen, um verschiedenen Marktanforderungen gerecht zu werden.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
SOP8
Applications
Power Supply
Number of terminal
8
Polarity
P+P
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-30
Drain Current ID[A]
-7
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)
0.031
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.029
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0215
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.031
Total gate charge Qg[nC]
18
Power Dissipation (PD)[W]
2
Drive Voltage[V]
-4
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
6.0x5.0 (t=1.75)
