SH8J66
-30V Dual P-Kanal Leistungs-MOSFET
SH8J66
-30V Dual P-Kanal Leistungs-MOSFET
MOSFETs vom komplexen Typ (P+P) werden durch Mikroprozessortechnologien zu Bauelementen mit geringem Einschaltwiderstand, die für eine Vielzahl von Anwendungen nützlich sind. Breite Produktpalette, die kompakte Typen, Hochleistungstypen und komplexe Typen abdeckt, um den verschiedenen Anforderungen des Marktes gerecht zu werden.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
SOP8
Applications
Power Supply
Number of terminal
8
Polarity
P+P
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-30
Drain Current ID[A]
-9
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)
0.019
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0175
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0135
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.019
Total gate charge Qg[nC]
35
Power Dissipation (PD)[W]
2
Drive Voltage[V]
-4
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
6.0x5.0 (t=1.75)
Eigenschaften:
· 4V-Treibertyp· Dualer P-Kanal-Mittelklasse-Leistungs-MOSFET
· Schnelle Schaltgeschwindigkeit
· Kleines Oberflächenmontagegehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform
