SH8K11
4V-Dual-N-Kanal-MOSFET
SH8K11
4V-Dual-N-Kanal-MOSFET
Komplexe MOSFETs (N+N) mit geringem Einschaltwiderstand sind dank Mikroprozessortechnologien für eine Vielzahl von Anwendungen nützlich. Eine breite Produktpalette, die kompakte, Hochleistungs- und komplexe Typen abdeckt, um verschiedenen Anforderungen des Marktes gerecht zu werden.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
SOP8
Applications
Switching
Number of terminal
8
Polarity
N+N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
3.5
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)
0.1
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.09
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.07
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.1
Total gate charge Qg[nC]
1.9
Power Dissipation (PD)[W]
2
Drive Voltage[V]
4
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
6.0x5.0 (t=1.75)
Eigenschaften:
· 4V-Ansteuertyp· Dual-N-Kanal-MOSFET mittlerer Leistung
· Schnelle Schaltgeschwindigkeit
· Kleines SMD-Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform
