SH8K12
4V Drive Dual N-Kanal MOSFET
SH8K12
4V Drive Dual N-Kanal MOSFET
MOSFETs des komplexen Typs (N+N) werden als Bauelemente mit niedrigem Einschaltwiderstand durch Mikro-Verarbeitungstechnologien hergestellt, die für eine Vielzahl von Anwendungen nützlich sind. Breite Produktpalette, die kompakte Typen, Hochleistungstypen und komplexe Typen abdeckt, um verschiedenen Bedürfnissen des Marktes gerecht zu werden.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
SOP8
Applications
Switching
Number of terminal
8
Polarity
N+N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
5
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)
0.045
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.04
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.03
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.045
Total gate charge Qg[nC]
4
Power Dissipation (PD)[W]
2
Drive Voltage[V]
4
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
6.0x5.0 (t=1.75)
Eigenschaften:
· 4V-Treibertyp· Dual-N-Kanal-Mittelstrom-MOSFET
· Schnelle Schaltgeschwindigkeit
· Kleines SMD-Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform
