SH8M24
Komplementärer 45-V-Leistungs-MOSFET
SH8M24
Komplementärer 45-V-Leistungs-MOSFET
Komplexe MOSFETs (P+N) sind als Bauteile mit niedrigem Einschaltwiderstand durch Mikroverarbeitungstechnologien hergestellt, die für eine Vielzahl von Anwendungen nützlich sind. Ein breites Produktspektrum, das kompakte Typen, Hochleistungstypen und komplexe Typen abdeckt, um verschiedenen Anforderungen des Marktes gerecht zu werden. Neu entwickelte Gehäuse mit Wärmeableitung auf der Rückseite, Dual-MOSFET, ideal für Motorantriebe.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
SOP8
Number of terminal
8
Polarity
N+P
Drain-Source Voltage VDSS[V]
45
Drain Current ID[A]
6
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)
0.046
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.041
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.033
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.046
Total gate charge Qg[nC]
6.8
Power Dissipation (PD)[W]
3.1
Drive Voltage[V]
4
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
6.0x5.0 (t=1.75)
Eigenschaften:
· 4-V-Ansteuerung· Komplementärer Mittel-Leistungs-MOSFET
· Schnelle Schaltgeschwindigkeit
· Kleines Oberflächenmontage-Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform
