ROHM Product Detail

UM6J1N
4 V Antriebs-Pch+Pch-MOSFET

Komplexe MOSFETs (P+P) werden von der Mikroprozessorfertigung als Geräte mit niedrigem Einschaltwiderstand konzipiert und sind für eine breite Auswahl von Anwendungen nützlich. Eine breite Palette mit kompakten Typen, Hochleistungstypen und komplexen Typen decken sämtliche Bedürfnisse auf dem Markt ab.

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Produktdetails

 
Teilenummer | UM6J1NTN
Status | Aktiv
Gehäuse | UMT6
Gehäusetyp | Taping
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Package Code

SOT-363

JEITA Package

SC-88

Number of terminal

6

Polarity

Pch+Pch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

-30

Drain Current ID[A]

-0.2

RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)

1.6

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)

1.4

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)

0.9

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)

1.6

Power Dissipation (PD)[W]

0.15

Drive Voltage[V]

-4

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min)[℃]

-55

Storage Temperature (Max)[℃]

150

Package Size [mm]

2.0x2.1 (t=0.9)

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