UM6J1N
Dualer P-Kanal-MOSFET mit 4V-Ansteuerung
UM6J1N
Dualer P-Kanal-MOSFET mit 4V-Ansteuerung
Komplexe MOSFETs (P+P) werden durch Mikro-Verarbeitungstechnologien als Bauelemente mit niedrigem Einschaltwiderstand hergestellt, die für eine Vielzahl von Anwendungen nützlich sind. Breites Angebot an kompakten, leistungsstarken und komplexen Typen, um den verschiedenen Marktanforderungen gerecht zu werden.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
SOT-363
JEITA Package
SC-88
Number of terminal
6
Polarity
P+P
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-30
Drain Current ID[A]
-0.2
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)
1.6
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
1.4
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.9
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
1.6
Power Dissipation (PD)[W]
0.15
Drive Voltage[V]
-4
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.1x2.0 (t=0.9)
Eigenschaften:
· 4V-Ansteuerung· Dualer P-Kanal Kleinsignal-MOSFET
· Kleines Gehäuse zur Oberflächenmontage
· Bleifrei/RoHS-konform
