ROHM Product Detail

UM6K31N
2,5-V-Ansteuerung, Dual-N-Kanal-MOSFET

MOSFETs des komplexen Typs (N+N) werden als Bauelemente mit niedrigem Einschaltwiderstand durch Mikroprozessortechnologien hergestellt, die für eine Vielzahl von Anwendungen nützlich sind. Eine breite Produktpalette, die kompakte Typen, Hochleistungstypen und komplexe Typen abdeckt, um verschiedenen Anforderungen des Marktes gerecht zu werden.

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Produktdetails

 
Teilenummer | UM6K31NTN
Status | Aktiv
Gehäuse | UMT6
Gehäusetyp | Taping
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Package Code

SOT-363

JEITA Package

SC-88

Number of terminal

6

Polarity

N+N

Drain-Source Voltage VDSS[V]

60

Drain Current ID[A]

0.25

RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)

3

RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)

2.3

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)

2.1

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)

1.7

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)

3

Power Dissipation (PD)[W]

0.15

Drive Voltage[V]

2.5

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min)[℃]

-55

Storage Temperature (Max)[℃]

150

Package Size [mm]

2.1x2.0 (t=0.9)

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Eigenschaften:

· 2,5-V-Antriebstyp
· Dual-N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET
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