UM6K33N
1,2V-Dual-N-Kanal-MOSFET mit Ansteuerung
UM6K33N
1,2V-Dual-N-Kanal-MOSFET mit Ansteuerung
Komplexe MOSFETs (N+N) werden durch Mikroprozessortechnologien als Bauelemente mit niedrigem Einschaltwiderstand hergestellt, die für eine Vielzahl von Anwendungen nützlich sind. Eine breite Palette deckt kompakte Typen, Hochleistungstypen und komplexe Typen ab, um den verschiedenen Anforderungen des Marktes gerecht zu werden.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
SOT-363
JEITA Package
SC-88
Number of terminal
6
Polarity
N+N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
50
Drain Current ID[A]
0.2
RDS(on)[Ω] VGS=1.2V(Typ)
2.4
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ)
2
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)
1.7
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
1.6
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
2.4
Power Dissipation (PD)[W]
0.15
Drive Voltage[V]
1.2
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.1x2.0 (t=0.9)
Eigenschaften:
· Typ mit niedriger Spannung (1,2 V)· Dualer N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET
· Kleines Oberflächenmontagegehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform
