UM6K34N
0.9V Dual-N-Kanal-MOSFET mit Ansteuerung
UM6K34N
0.9V Dual-N-Kanal-MOSFET mit Ansteuerung
MOSFETs des komplexen Typs (N+N) werden als Bauelemente mit geringem Einschaltwiderstand durch Mikroprozessortechnologien hergestellt, die für eine Vielzahl von Anwendungen nützlich sind. Breites Angebot an kompakten Typen, Hochleistungstypen und komplexen Typen, um verschiedenen Anforderungen des Marktes gerecht zu werden.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
SOT-363
JEITA Package
SC-88
Number of terminal
6
Polarity
N+N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
50
Drain Current ID[A]
0.2
RDS(on)[Ω] VGS=0.9V(Typ)
3
RDS(on)[Ω] VGS=1.2V(Typ)
2.2
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ)
2
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)
1.7
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
1.6
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
3
Power Dissipation (PD)[W]
0.15
Drive Voltage[V]
0.9
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.1x2.0 (t=0.9)
Eigenschaften:
- Montagekosten und -fläche können halbiert werden.
- Geringer Einschaltwiderstand.
- Niederspannungsansteuerung (0,9V-Ansteuerung) macht dieses Gerät ideal für tragbare Geräte.
