ROHM Product Detail

Für neue Designs nicht empfohlen US5U2
4 V Antriebs-Nch+SBD-MOSFET

Produkte, die nicht für neue Designs verwendet werden können (Nicht empfohlen für Designabweichungen).

Produktdetails

 
Teilenummer | US5U2TR
Gehäuse | TUMT5
Gehäusetyp | Taping
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Package Code

SOT-353T

JEITA Package

SC-113CA

Number of terminal

5

Polarity

Nch+Schottky

Drain-Source Voltage VDSS[V]

30

Drain Current ID[A]

1.4

RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)

0.27

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)

0.25

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)

0.17

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)

0.27

Total gate charge Qg[nC]

1.4

Power Dissipation (PD)[W]

0.7

Drive Voltage[V]

4

Reverse voltage VR (Diode) [V]

20

Forward Current IF (Diode) [A]

0.5

Forward Current Surge Peak IFSM (Diode) [A]

2

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min)[℃]

-55

Storage Temperature (Max)[℃]

150

Package Size [mm]

2.1x2.0 (t=0.82)

Eigenschaften:

· Mittelleistungs-MOSFET mit mehreren Schottky-Barriere-Dioden
· Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform
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