US5U2
4 V Antriebs-Nch+SBD-MOSFET
US5U2
4 V Antriebs-Nch+SBD-MOSFET
ROHMs MOSFETs haben durch die Mikrobearbeitungstechnologien einen geringen RDS-(Einschalt)-Widerstand und sind in verschiedenen Ausführungen erhältlich, wie die Hybrid-Ausführung (MOSFET + Schottky-Diode), sodass unterschiedliche Marktbedürfnisse erfüllt werden.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
SOT-353T
JEITA Package
SC-113CA
Number of terminal
5
Polarity
Nch+Schottky
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
1.4
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)
0.27
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
0.25
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.17
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.27
Total gate charge Qg[nC]
1.4
Power Dissipation (PD)[W]
0.7
Drive Voltage[V]
4
Reverse voltage VR (Diode) [V]
20
Forward Current IF (Diode) [A]
0.5
Forward Current Surge Peak IFSM (Diode) [A]
2
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
2x2.1 (t=0.85)
Eigenschaften:
· Mittelleistungs-MOSFET mit mehreren Schottky-Barriere-Dioden· Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform
