1,8 V Antriebs-Nch+Nch-MOSFET - US6K4

Komplexe MOSFETs (N+N) werden von der Mikroprozessorfertigung als Geräte mit niedrigem Einschaltwiderstand konzipiert und sind für eine breite Auswahl von Anwendungen nützlich. Eine breite Palette mit kompakten Typen, Hochleistungstypen und komplexen Typen decken sämtliche Bedürfnisse auf dem Markt ab.

* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung. Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Teilenummer | US6K4TR
Status | Empfohlen
Gehäuse | TUMT6
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

SOT-363T

JEITA Package

SC-113DA

Package Size[mm]

2.0x2.1 (t=0.85)

Number of terminal

6

Polarity

Nch+Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

20

Drain Current ID[A]

1.5

RDS(on)[Ω] VGS=1.8V(Typ.)

0.22

RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)

0.17

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.13

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.22

Total gate charge Qg[nC]

1.8

Power Dissipation (PD)[W]

1.0

Drive Voltage[V]

1.8

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

· Niederspannungsmotor (1,8 V)
· N-Kanal+N-Kanal-Mittelleistungs-MOSFET
· Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform