US6K4
1,8-V-Dual-N-Kanal-MOSFET
Für neue Designs nicht empfohlen
US6K4
1,8-V-Dual-N-Kanal-MOSFET
Produkte, die nicht für neue Designs verwendet werden können (Nicht empfohlen für Designabweichungen).
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
SOT-363T
JEITA Package
SC-113DA
Number of terminal
6
Polarity
N+N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
20
Drain Current ID[A]
1.5
RDS(on)[Ω] VGS=1.8V(Typ)
0.22
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)
0.17
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.13
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.22
Total gate charge Qg[nC]
1.8
Power Dissipation (PD)[W]
1
Drive Voltage[V]
1.8
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.1x2.0 (t=0.82)
Eigenschaften:
· Niederspannungstyp (1,8 V) für den Betrieb· Dual-N-Kanal-MOSFET mit mittlerer Leistung
· Kleines Oberflächenmontage-Gehäuse
· Pb-frei/RoHS-konform
