US6M1
4 V Antriebs-Nch + 2,5 V Antriebs-Pch-MOSFET

Komplexe MOSFETs (P+N) werden von der Mikroprozessorfertigung als Geräte mit niedrigem Einschaltwiderstand konzipiert und sind für eine breite Auswahl von Anwendungen nützlich. Eine breite Palette mit kompakten Typen, Hochleistungstypen und komplexen Typen decken sämtliche Bedürfnisse auf dem Markt ab.

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Produktdetails

 
Teilenummer | US6M1TR
Status | Aktiv
Gehäuse | TUMT6
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Package Code

SOT-363T

JEITA Package

SC-113DA

Number of terminal

6

Polarity

Nch+Pch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

30

Drain Current ID[A]

1.4

RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)

0.27

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.17

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.27

Total gate charge Qg[nC]

1.4

Power Dissipation (PD)[W]

1

Drive Voltage[V]

4

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Package Size [mm]

2x2.1 (t=0.85)

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Eigenschaften:

· N-Kanal+P-Kanal-Mittelleistungs-MOSFET
· Schnelle Schaltgeschwindigkeit
· Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
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