Models
- US6M1 SPICE Model
- US6M1 Thermal Model (lib)
Characteristics Data
- ESD Data
Komplexe MOSFETs (P+N) werden von der Mikroprozessorfertigung als Geräte mit niedrigem Einschaltwiderstand konzipiert und sind für eine breite Auswahl von Anwendungen nützlich. Eine breite Palette mit kompakten Typen, Hochleistungstypen und komplexen Typen decken sämtliche Bedürfnisse auf dem Markt ab.
Grade
Standard
Package Code
SOT-363T
JEITA Package
SC-113DA
Package Size[mm]
2.0x2.1 (t=0.85)
Number of terminal
6
Polarity
Nch+Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
1.4
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)
0.27
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.17
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.27
Total gate charge Qg[nC]
1.4
Power Dissipation (PD)[W]
1.0
Drive Voltage[V]
4.0
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150