US6M1
4 V Antriebs-Nch + 2,5 V Antriebs-Pch-MOSFET

Komplexe MOSFETs (P+N) werden von der Mikroprozessorfertigung als Geräte mit niedrigem Einschaltwiderstand konzipiert und sind für eine breite Auswahl von Anwendungen nützlich. Eine breite Palette mit kompakten Typen, Hochleistungstypen und komplexen Typen decken sämtliche Bedürfnisse auf dem Markt ab.

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Produktdetails

 
Teilenummer | US6M1TR
Status | Empfohlen
Gehäuse | TUMT6
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

SOT-363T

JEITA Package

SC-113DA

Package Size[mm]

2.0x2.1 (t=0.85)

Number of terminal

6

Polarity

Nch+Pch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

30

Drain Current ID[A]

1.4

RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)

0.27

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.17

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.27

Total gate charge Qg[nC]

1.4

Power Dissipation (PD)[W]

1.0

Drive Voltage[V]

4.0

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

· N-Kanal+P-Kanal-Mittelleistungs-MOSFET
· Schnelle Schaltgeschwindigkeit
· Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-kompatibel
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Technische Artikel

Schematic Design & Verification

  • Temperature derating method for Safe Operating Area (SOA)
  • Calculation of Power Dissipation in Switching Circuit
  • Method for Monitoring Switching Waveform
  • Importance of Probe Calibration When Measuring Power: Deskew
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Thermal Design

  • Notes for Temperature Measurement Using Thermocouples
  • Two-Resistor Model for Thermal Simulation
  • Notes for Temperature Measurement Using Forward Voltage of PN Junction
  • What is a Thermal Model? (Transistor)
  • Measurement Method and Usage of Thermal Resistance RthJC
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