US6M1
4 V Antriebs-Nch + 2,5 V Antriebs-Pch-MOSFET
US6M1
US6M1
4 V Antriebs-Nch + 2,5 V Antriebs-Pch-MOSFET
Komplexe MOSFETs (P+N) werden von der Mikroprozessorfertigung als Geräte mit niedrigem Einschaltwiderstand konzipiert und sind für eine breite Auswahl von Anwendungen nützlich. Eine breite Palette mit kompakten Typen, Hochleistungstypen und komplexen Typen decken sämtliche Bedürfnisse auf dem Markt ab.
Data Sheet
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Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
SOT-363T
JEITA Package
SC-113DA
Number of terminal
6
Polarity
Nch+Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
1.4
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)
0.27
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.17
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.27
Total gate charge Qg[nC]
1.4
Power Dissipation (PD)[W]
1
Drive Voltage[V]
4
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
2x2.1 (t=0.85)
Eigenschaften:
· N-Kanal+P-Kanal-Mittelleistungs-MOSFET· Schnelle Schaltgeschwindigkeit
· Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-kompatibel
