ROHM Product Detail

UT6JB5
-40V Dual P-Kanal, DFN2020, Leistungs-MOSFET

UT6JB5 ist ein DFN-Gehäuse-MOSFET, der für Schaltanwendungen geeignet ist.

Data Sheet Kaufen *
* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.

Produktdetails

 
Teilenummer | UT6JB5TCR
Status | Aktiv
Gehäuse | HUML2020L8 (Dual)
Gehäusetyp | Taping
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Package Code

DFN2020-8D

Number of terminal

8

Polarity

P+P

Drain-Source Voltage VDSS[V]

-40

Drain Current ID[A]

-3.5

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)

0.121

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)

0.095

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)

0.121

Total gate charge Qg[nC]

3.3

Power Dissipation (PD)[W]

2

Drive Voltage[V]

-4.5

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min)[℃]

-55

Storage Temperature (Max)[℃]

150

Package Size [mm]

2.0x2.0 (t=0.65)

Find Similar

Eigenschaften:

  • Niedriger Einschaltwiderstand
  • Kleines oberflächenmontiertes Gehäuse
  • Bleifreie Beschichtung; RoHS-konform
  • Halogenfrei

Produktvideo & Katalog

 
Loading...
X

Most Viewed