RA1C030LD
WLCSP MOSFET, Nch 20V 3.0A, SMM1006
RA1C030LD
RA1C030LD
WLCSP MOSFET, Nch 20V 3.0A, SMM1006
RA1C030LD ist ein WLCSP-MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand und Hochleistungsgehäuse, geeignet für Schaltstromkreise, Einzelzellen-Batterieanwendungen und mobile Anwendungen.
Data Sheet
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Produktdetails
Spezifikationen:
Applications
Switching
Number of terminal
3
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
20
Drain Current ID[A]
3
RDS(on)[Ω] VGS=1.8V(Typ.)
0.2
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)
0.13
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
0.08
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.2
Total gate charge Qg[nC]
1.5
Power Dissipation (PD)[W]
1
Drive Voltage[V]
1.8
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
0.6x1 (t=0.25)
Eigenschaften:
- Low on - resistance.
- High Power small Package.
- Pb-free lead plating ; RoHS compliant.
- Halogen Free.
- ESD protection up to 200V (MM).
up to 2kV (HBM). - WLCSP (Wafer level chip size package)
