RA1C030LD
WLCSP MOSFET, Nch 20V 3.0A, SMM1006

RA1C030LD ist ein WLCSP-MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand und Hochleistungsgehäuse, geeignet für Schaltstromkreise, Einzelzellen-Batterieanwendungen und mobile Anwendungen.

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Produktdetails

 
Teilenummer | RA1C030LDT5CL
Status | Empfohlen
Gehäuse | SMM1006
Gehäusetyp | Taping
Einheitenmenge | 15000
Minimale Gehäusemenge | 15000
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Applications

Switching

Number of terminal

3

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

20

Drain Current ID[A]

3

RDS(on)[Ω] VGS=1.8V(Typ.)

0.2

RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)

0.13

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.08

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.2

Total gate charge Qg[nC]

1.5

Power Dissipation (PD)[W]

1

Drive Voltage[V]

1.8

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Package Size [mm]

0.6x1.0 (t=0.25)

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Eigenschaften:

  • Low on - resistance.
  • High Power small Package.
  • Pb-free lead plating ; RoHS compliant.
  • Halogen Free.
  • ESD protection up to 200V (MM).
    up to 2kV (HBM).
  • WLCSP (Wafer level chip size package)
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