RA1C030LD
N-Kanal 20V 3,0A, SMM1006, WLCSP MOSFET
RA1C030LD
N-Kanal 20V 3,0A, SMM1006, WLCSP MOSFET
RA1C030LD ist ein WLCSP-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und einem Hochleistungsgehäuse, der sich für Schaltkreise, Einzelzellen-Batterieanwendungen und mobile Anwendungen eignet.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
DSN1006-3
Applications
Switching
Number of terminal
3
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
20
Drain Current ID[A]
3
RDS(on)[Ω] VGS=1.8V(Typ)
0.2
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)
0.13
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.08
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.2
Total gate charge Qg[nC]
1.5
Power Dissipation (PD)[W]
1
Drive Voltage[V]
1.8
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
1.0x0.6 (t=0.25)
Eigenschaften:
- Niedriger Einschaltwiderstand.
- Kleines Hochleistungsgehäuse.
- Bleifreie Verbleiung; RoHS-konform.
- Halogenfrei.
- ESD-Schutz bis 200V (MM)
bis 2kV (HBM) - WLCSP (Wafer-Level-Chip-Scale-Package)
