RD3G03BBG
Leistungs-MOSFET, Nch 40V 65A, TO-252
RD3G03BBG
RD3G03BBG
Leistungs-MOSFET, Nch 40V 65A, TO-252
RD3G03BBG ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand und einem Gehäuse für hohe Leistung, geeignet zum Schalten.
Data Sheet
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Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TO-252 (DPAK)
JEITA Package
SC-63
Applications
Switching
Number of terminal
3
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
40
Drain Current ID[A]
65
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
0.0076
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.005
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.0076
Total gate charge Qg[nC]
9.3
Power Dissipation (PD)[W]
50
Drive Voltage[V]
4.5
Trr (Typ.)[ns]
34
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
6.6x10.0 (t=2.4)
Eigenschaften:
- Low on - resistance
- High power package (TO-252)
- Pb-free plating ; RoHS compliant
- Halogen free
