Nch 40V 60A Leistungs-MOSFET - RD3G600GN

Der RD3G600GN ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und Hochleistungs-Gehäuse (TO-252) für Schaltanwendungen.

* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung. Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Teilenummer | RD3G600GNTL
Status | Empfohlen
Gehäuse | TO-252
Einheitenmenge | 2500
Minimale Gehäusemenge | 2500
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

TO-252 (DPAK)

JEITA Package

SC-63

Package Size[mm]

6.6x10.0 (t=2.3)

Number of terminal

3

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

40

Drain Current ID[A]

60.0

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.0033

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.0028

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.0033

Total gate charge Qg[nC]

23.5

Power Dissipation (PD)[W]

40.0

Drive Voltage[V]

4.5

Mounting Style

Surface mount

Bare Die Part Number

Available: K4733

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

  • Low on - resistance
  • High power package (TO-252)
  • Pb-free lead plating ; RoHS compliant
  • Halogen free