RD3L050SN
N-Kanal 60V 5A Leistungs-MOSFET
RD3L050SN
N-Kanal 60V 5A Leistungs-MOSFET
RD3L050SN ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand, geeignet für Schaltanwendungen.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TO-252 (DPAK)
JEITA Package
SC-63
Number of terminal
3
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
60
Drain Current ID[A]
5
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)
0.1
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.094
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.078
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.1
Total gate charge Qg[nC]
8
Power Dissipation (PD)[W]
15
Drive Voltage[V]
4
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
9.9x6.6 (t=2.4)
Eigenschaften:
- Niedriger Einschaltwiderstand.
- Schnelle Schaltgeschwindigkeit.
- Treiberschaltungen können einfach sein.
- Paralleler Einsatz ist einfach.
- Pb-freie Beschichtung; RoHS-konform
