RD3L080SN
Nch 60V 8A Leistungs-MOSFET

Der RD3L080SN ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlassiwderstand für Schaltanwendungen.

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Produktdetails

 
Teilenummer | RD3L080SNTL1
Status | Empfohlen
Gehäuse | TO-252
Einheitenmenge | 2500
Minimale Gehäusemenge | 2500
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

TO-252 (DPAK)

Package Size [mm]

6.6x9.9 (t=2.4)

JEITA Package

SC-63

Number of terminal

3

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

60

Drain Current ID[A]

8.0

RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)

0.078

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.07

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.057

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.078

Total gate charge Qg[nC]

9.4

Power Dissipation (PD)[W]

15.0

Drive Voltage[V]

4.0

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

  • Low on-resistance.
  • Fast switching speed.
  • Drive circuits can be simple.
  • Parallel use is easy.
  • Pb-free plating ; RoHS compliant
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