RD3P07BBH
N-Kanal 100V 80A, TO-252 (DPAK), Leistungs-MOSFET
RD3P07BBH
N-Kanal 100V 80A, TO-252 (DPAK), Leistungs-MOSFET
Der RD3P07BBH ist ein Power-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und einem Hochleistungsgehäuse, geeignet zum Schalten.
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Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TO-252 (DPAK)
JEITA Package
SC-63
Applications
Switching
Number of terminal
3
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
100
Drain Current ID[A]
80
RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ)
0.0075
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0059
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0075
Total gate charge Qg[nC]
25
Power Dissipation (PD)[W]
89
Drive Voltage[V]
6
trr (Typ.)[ns]
63
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
9.9x6.6 (t=2.4)
Eigenschaften:
- Niedriger Durchlasswiderstand
- Hochleistungsgehäuse (TO-252)
- Bleifreie Beschichtung; RoHS-konform
- Halogenfrei
