ROHM Product Detail

RD3P175SN
N-Kanal 100V 17,5A Leistungs-MOSFET

Der RD3P175SN ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand, der sich für Schaltanwendungen eignet.

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Produktdetails

 
Teilenummer | RD3P175SNTL1
Status | Empfohlen
Gehäuse | TO-252 (TL1)
Gehäusetyp | Taping
Einheitenmenge | 2500
Minimale Gehäusemenge | 2500
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Package Code

TO-252 (DPAK)

JEITA Package

SC-63

Number of terminal

3

Polarity

N

Drain-Source Voltage VDSS[V]

100

Drain Current ID[A]

17.5

RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)

0.085

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)

0.08

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)

0.075

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)

0.085

Total gate charge Qg[nC]

24

Power Dissipation (PD)[W]

20

Drive Voltage[V]

4

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min)[℃]

-55

Storage Temperature (Max)[℃]

150

Package Size [mm]

9.9x6.6 (t=2.4)

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Eigenschaften:

  • Geringer Durchlasswiderstand.
  • Schnelle Schaltgeschwindigkeit.
  • Treiberschaltungen können einfach sein.
  • Parallele Nutzung ist einfach.
  • Bleifreie Beschichtung; RoHS-konform

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