RD3R05BBH
N-Kanal 150V 50A, TO-252 (DPAK), Leistungs-MOSFET
RD3R05BBH
N-Kanal 150V 50A, TO-252 (DPAK), Leistungs-MOSFET
Der RD3R05BBH ist ein Power MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand und einem Hochleistungsgehäuse, der sich ideal zum Schalten eignet.
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Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TO-252 (DPAK)
JEITA Package
SC-63
Applications
Switching
Number of terminal
3
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
150
Drain Current ID[A]
50
RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ)
0.024
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.022
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.024
Total gate charge Qg[nC]
24
Power Dissipation (PD)[W]
89
Drive Voltage[V]
6
trr (Typ.)[ns]
115
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
9.9x6.6 (t=2.4)
Eigenschaften:
- Geringer Einschaltwiderstand
- Hochleistungsgehäuse (TO-252)
- Bleifreie Beschichtung; RoHS-konform
- Halogenfrei
