RE1C002UN
1,2-V-N-Kanal-MOSFET
RE1C002UN
1,2-V-N-Kanal-MOSFET
MOSFETs werden mit Mikroprozesstechnologien hergestellt, die für mobile Geräte mit geringem Stromverbrauch geeignet sind, um einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand zu erzielen. Sie sind in einer breiten Palette erhältlich, die kompakte, Hochleistungs- und komplexe Typen umfasst, um den Marktanforderungen gerecht zu werden.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
SOT-416FL
JEITA Package
SC-89
Number of terminal
3
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
20
Drain Current ID[A]
0.2
RDS(on)[Ω] VGS=1.2V(Typ)
1.6
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ)
1.2
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)
0.8
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
1.6
Power Dissipation (PD)[W]
0.15
Drive Voltage[V]
1.2
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
1.6x1.6 (t=0.85)
Eigenschaften:
· 1,2 V Antriebstyp· N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET
· Kleines oberflächenmontierbares Gehäuse
· Bleifrei / RoHS-konform
