RE1J002YN
N-Kanal-MOSFET mit 0,9-V-Ansteuerung
RE1J002YN
N-Kanal-MOSFET mit 0,9-V-Ansteuerung
MOSFETs werden mithilfe von Mikroprozess-Technologien, die für mobile Geräte mit geringem Stromverbrauch geeignet sind, mit extrem niedrigem Einschaltwiderstand hergestellt. Sie sind in einem breiten Sortiment erhältlich, einschließlich Kompakt-, Hochleistungs- und Komplextypen, um die Marktanforderungen zu erfüllen.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
SOT-416FL
JEITA Package
SC-89
Number of terminal
3
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
50
Drain Current ID[A]
0.2
RDS(on)[Ω] VGS=0.9V(Typ)
3
RDS(on)[Ω] VGS=1.2V(Typ)
2.2
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ)
2
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)
1.7
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
1.6
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
3
Power Dissipation (PD)[W]
0.15
Drive Voltage[V]
0.9
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
1.6x1.6 (t=0.85)
Eigenschaften:
· Ansteuerung mit niedriger Spannung (0,9 V)· Kleinsignal-N-Kanal-MOSFET
· Kleines Oberflächenmontagegehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform
