RF4E070GN
4,5-V-Ansteuerung N-Kanal-MOSFET
RF4E070GN
4,5-V-Ansteuerung N-Kanal-MOSFET
Leistungs-MOSFETs werden als Geräte mit geringem Einschaltwiderstand durch Mikroprozessortechnologien hergestellt, die für eine Vielzahl von Anwendungen nützlich sind. Eine breite Palette von kompakten Typen, Hochleistungstypen und komplexen Typen, um den verschiedenen Anforderungen des Marktes gerecht zu werden.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
DFN2020-8S
Applications
Power Supply
Number of terminal
8
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
7
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.023
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0164
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.023
Total gate charge Qg[nC]
2.2
Power Dissipation (PD)[W]
2
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Bare Die Part Number
Available: K4515
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.0x2.0 (t=0.65)
Eigenschaften:
・Geringer Einschaltwiderstand.・Kleines Gehäuse mit hoher Leistung (HUML2020L8)
・Bleifreie Verbleiung; RoHS-konform
・Halogenfrei
