RF4E080BN
4,5-V-N-Kanal-MOSFET mit Ansteuerung
RF4E080BN
4,5-V-N-Kanal-MOSFET mit Ansteuerung
Leistungs-MOSFETs werden mit Mikroprozessortechnologien als Bauelemente mit niedrigem Einschaltwiderstand hergestellt und eignen sich für eine Vielzahl von Anwendungen. Breites Angebot an kompakten Typen, Hochleistungstypen und komplexen Typen, um den verschiedenen Anforderungen des Marktes gerecht zu werden.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
DFN2020-8S
Applications
Switching, Motor
Number of terminal
8
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
8
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0189
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0135
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0189
Total gate charge Qg[nC]
7.2
Power Dissipation (PD)[W]
2
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Bare Die Part Number
Available: K4001
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.0x2.0 (t=0.65)
Eigenschaften:
・Niedriger Einschaltwiderstand.・Kleines Gehäuse für hohe Leistung (HUML2020L8)
・Bleifreie Anschlussbeschichtung ; RoHS-konform
・Halogenfrei
