RF4E080GN
4,5V N-Kanal-MOSFET
RF4E080GN
4,5V N-Kanal-MOSFET
Power-MOSFETs werden mithilfe von Mikrobearbeitungstechnologien als Bauelemente mit geringem Einschaltwiderstand hergestellt, die sich für eine Vielzahl von Anwendungen eignen. Um den unterschiedlichsten Marktanforderungen gerecht zu werden, gibt es eine breite Produktpalette, die kompakte Bauformen, Hochleistungstypen und komplexe Typen umfasst.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
DFN2020-8S
Applications
Power Supply
Number of terminal
8
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
8
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0176
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0135
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0176
Total gate charge Qg[nC]
2.8
Power Dissipation (PD)[W]
2
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Bare Die Part Number
Available: K4513
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.0x2.0 (t=0.65)
Eigenschaften:
・ Niedriger Einschaltwiderstand.・ Kleines Hochleistungsgehäuse (HUML2020L8)
・ Bleifreie Anschlussbeschichtung; RoHS-konform
・ Halogenfrei
