4,5 V Antriebs-Nch-MOSFET - RF4E080GN

MOSFETs mit Leistung sind so entwickelt, dass sie durch einen niedrigen Einschaltwiderstand mithilfe von Mikrobearbeitungstechnologien für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet sind. Das breit aufgestellte Sortiment umfasst kompakte, hochleistungsfähige und komplexe Ausführungen, um unterschiedliche Marktbedürfnisse zu erfüllen.

* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung. Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Teilenummer | RF4E080GNTR
Status | Empfohlen
Gehäuse | HUML2020L8 (Single)
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

DFN2020-8S

Package Size[mm]

2.0x2.0 (t=0.6)

Applications

Power Supply

Number of terminal

8

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

30

Drain Current ID[A]

8.0

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.0176

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.0135

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.0176

Total gate charge Qg[nC]

2.8

Power Dissipation (PD)[W]

2.0

Drive Voltage[V]

4.5

Mounting Style

Surface mount

Bare Die Part Number

Available: K4513

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

・ Low on - resistance.
・ High Power Small Mold Package (HUML2020L8).
・ Pb-free lead plating ; RoHS compliant
・ Halogen Free