RF4E110GN
4.5V N-Kanal-MOSFET
RF4E110GN
4.5V N-Kanal-MOSFET
Power MOSFETs werden durch Mikroprozessortechnologien als Bauelemente mit niedrigem Einschaltwiderstand hergestellt, die für eine Vielzahl von Anwendungen nützlich sind. Eine breite Produktpalette, die kompakte, hochleistungsfähige und komplexe Typen umfasst, um verschiedene Marktanforderungen zu erfüllen.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
DFN2020-8S
Applications
Power Supply
Number of terminal
8
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
11
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0117
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0087
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0117
Total gate charge Qg[nC]
3.5
Power Dissipation (PD)[W]
2
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Bare Die Part Number
Available: K4516
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.0x2.0 (t=0.65)
Eigenschaften:
・ Geringer Einschaltwiderstand.・ Kleines Hochleistungs-Spritzgussgehäuse (HUML2020L8)
・ Bleifreie Verbleiung; RoHS-konform
・ Halogenfrei
