ROHM Product Detail

RF4E110GN
4,5 V Antriebs-Nch-MOSFET

MOSFETs mit Leistung sind so entwickelt, dass sie durch einen niedrigen Einschaltwiderstand mithilfe von Mikrobearbeitungstechnologien für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet sind. Das breit aufgestellte Sortiment umfasst kompakte, hochleistungsfähige und komplexe Ausführungen, um unterschiedliche Marktbedürfnisse zu erfüllen.

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Produktdetails

 
Teilenummer | RF4E110GNTR
Status | Aktiv
Gehäuse | HUML2020L8 (Single)
Gehäusetyp | Taping
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Package Code

DFN2020-8S

Applications

Power Supply

Number of terminal

8

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

30

Drain Current ID[A]

11

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)

0.0117

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)

0.0087

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)

0.0117

Total gate charge Qg[nC]

3.5

Power Dissipation (PD)[W]

2

Drive Voltage[V]

4.5

Mounting Style

Surface mount

Bare Die Part Number

Available: K4516

Storage Temperature (Min)[℃]

-55

Storage Temperature (Max)[℃]

150

Package Size [mm]

2.0x2.0 (t=0.65)

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Eigenschaften:

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