RF4G100BG
Nch 40 V 10 A, HUML2020L8, Leistungs-MOSFET
RF4G100BG
Nch 40 V 10 A, HUML2020L8, Leistungs-MOSFET
Der RF4G100BG ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand für Schaltanwendungen.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
DFN2020-8S
Applications
Switching
Number of terminal
8
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
40
Drain Current ID[A]
10
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0137
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0109
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0137
Total gate charge Qg[nC]
5
Power Dissipation (PD)[W]
2
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.0x2.0 (t=0.65)
Eigenschaften:
- Low on - resistance
- High Power small mold Package(HUML2020L8)
- Pb-free plating ; RoHS compliant
- Halogen Free
Produktvideo & Katalog
