RF4G100BG
N-Kanal 40V 10A, HUML2020L8, Power MOSFET
RF4G100BG
N-Kanal 40V 10A, HUML2020L8, Power MOSFET
Der RF4G100BG ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand, geeignet für Schaltanwendungen.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
DFN2020-8S
Applications
Switching
Number of terminal
8
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
40
Drain Current ID[A]
10
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0137
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0109
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0137
Total gate charge Qg[nC]
5
Power Dissipation (PD)[W]
2
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.0x2.0 (t=0.65)
Eigenschaften:
- Geringer Einschaltwiderstand
- Kleines Hochleistungsgehäuse (HUML2020L8)
- Pb-freie Beschichtung; RoHS-konform
- Halogenfrei
Produktvideo & Katalog
