ROHM Product Detail

RF4L070BG
Nch 60 V 7 A, HUML2020L8, Leistungs-MOSFET

Der RF4L070BG ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand für Schaltanwendungen.

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Produktdetails

 
Teilenummer | RF4L070BGTCR
Status | Aktiv
Gehäuse | HUML2020L8 (Single)
Gehäusetyp | Taping
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Package Code

DFN2020-8S

Applications

Switching

Number of terminal

8

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

60

Drain Current ID[A]

7

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)

0.029

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)

0.021

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)

0.029

Total gate charge Qg[nC]

3.9

Power Dissipation (PD)[W]

2

Drive Voltage[V]

4.5

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min)[℃]

-55

Storage Temperature (Max)[℃]

150

Package Size [mm]

2.0x2.0 (t=0.65)

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Eigenschaften:

  • Low on - resistance
  • High Power small mold Package(HUML2020L8)
  • Pb-free plating ; RoHS compliant
  • Halogen Free
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