RH6G040CG (Neues Produkt)
N-Kanal 40 V 135 A, HSMT8, Leistungs-MOSFET
RH6G040CG (Neues Produkt)
N-Kanal 40 V 135 A, HSMT8, Leistungs-MOSFET
RH6G040CG ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand und einem kleinen Hochleistungs-Formgehäuse, der für Schalt-, Motorantriebs- und DC/DC-Wandler geeignet ist.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
HSMT8
Applications
Switching
Number of terminal
8
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
40
Drain Current ID[A]
135
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0032
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0021
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0032
Total gate charge Qg[nC]
14.5
Power Dissipation (PD)[W]
93
Drive Voltage[V]
4.5
trr (Typ.)[ns]
43
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
175
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=0.9)
Eigenschaften:
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Kleines Hochleistungs-Formgehäuse (HSMT8)
- Bleifreie Beschichtung; RoHS-konform
- Halogenfrei
- 100 % Rg- und UIS-getestet
