RH6N040BH
N-Kanal 80V 40A, HSMT8, Leistungs-MOSFET
RH6N040BH
N-Kanal 80V 40A, HSMT8, Leistungs-MOSFET
Der RH6N040BH ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und einem kleinen Hochleistungsgehäuse, geeignet für Schaltanwendungen, Motorantriebe und DC/DC-Wandler.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
HSMT8
Applications
Switching
Number of terminal
8
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
80
Drain Current ID[A]
40
RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ)
0.0088
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0069
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0088
Total gate charge Qg[nC]
14.5
Power Dissipation (PD)[W]
59
Drive Voltage[V]
6
trr (Typ.)[ns]
39
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=0.9)
Eigenschaften:
- Geringer Einschaltwiderstand
- Kleines Hochleistungsgehäuse (HSMT8)
- Bleifreie Beschichtung; RoHS-konform
- Halogenfrei
- 100% Rg- und UIS-getestet
