RH6P040BH
Leistungs-MOSFET mit Nch 100V 40A, HSMT8
RH6P040BH
RH6P040BH
Leistungs-MOSFET mit Nch 100V 40A, HSMT8
RH6P040BH ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand, geeignet zum Schalten.
Data Sheet
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Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
HSMT8 (3.3x3.3)
Number of terminal
8
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
100
Drain Current ID[A]
40
RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ.)
0.0156
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.012
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.0156
Total gate charge Qg[nC]
10.9
Power Dissipation (PD)[W]
59
Drive Voltage[V]
6
Trr (Typ.)[ns]
48
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=0.75)
Eigenschaften:
- Low on - resistance
- High power package(HSMT8)
- Pb-free plating ; RoHS compliant
- Halogen free
- 100% Rg and UIS tested
