RH6P040BH
N-Kanal 100V 40A, HSMT8, Power MOSFET
RH6P040BH
N-Kanal 100V 40A, HSMT8, Power MOSFET
Der RH6P040BH ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und eignet sich für Schaltanwendungen.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
HSMT8
Number of terminal
8
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
100
Drain Current ID[A]
40
RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ)
0.0156
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.012
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0156
Total gate charge Qg[nC]
10.9
Power Dissipation (PD)[W]
59
Drive Voltage[V]
6
trr (Typ.)[ns]
48
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=0.9)
Eigenschaften:
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Leistungsstarkes Gehäuse (HSMT8)
- Bleifreie Beschichtung ; RoHS-konform
- Halogenfrei
- 100 % Rg- und UIS-getestet
Produktvideo & Katalog
