RH6R025BH
Leistungs-MOSFET, Nch 150V 25A, HSMT8
RH6R025BH
Leistungs-MOSFET, Nch 150V 25A, HSMT8
RH6R025BH ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand und Hochleistungsgehäuse, geeignet für Schaltanwendungen.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
HSMT8
Applications
Switching
Number of terminal
8
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
150
Drain Current ID[A]
25
RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ)
0.049
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.046
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.049
Total gate charge Qg[nC]
11
Power Dissipation (PD)[W]
59
Drive Voltage[V]
6
Trr (Typ)[ns]
115
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=0.9)
Eigenschaften:
- Low on - resistance
- High Power small mold Package (HSMT8)
- Pb-free plating ; RoHS compliant
- Halogen Free
Produktvideo & Katalog
