RH6R025BH
N-Kanal 150V 25A, HSMT8, Power-MOSFET
RH6R025BH
N-Kanal 150V 25A, HSMT8, Power-MOSFET
Der RH6R025BH ist ein Power-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und einem Hochleistungsgehäuse, der sich für Schaltanwendungen eignet.
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Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
HSMT8
Applications
Switching
Number of terminal
8
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
150
Drain Current ID[A]
25
RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ)
0.049
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.046
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.049
Total gate charge Qg[nC]
11
Power Dissipation (PD)[W]
59
Drive Voltage[V]
6
trr (Typ.)[ns]
115
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=0.9)
Eigenschaften:
- Niedriger Durchlasswiderstand
- Kleines Hochleistungs-Spritzgussgehäuse (HSMT8)
- Bleifreie Beschichtung; RoHS-konform
- Halogenfrei
Produktvideo & Katalog
