RH6R025BH
Leistungs-MOSFET, Nch 150V 25A, HSMT8

RH6R025BH ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand und Hochleistungsgehäuse, geeignet für Schaltanwendungen.

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Produktdetails

 
Teilenummer | RH6R025BHTB1
Status | Empfohlen
Gehäuse | HSMT8
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Package Code

HSMT8 (3.3x3.3)

Applications

Switching

Number of terminal

8

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

150

Drain Current ID[A]

25

RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ.)

0.049

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.046

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.049

Total gate charge Qg[nC]

11

Power Dissipation (PD)[W]

59

Drive Voltage[V]

6

Trr (Typ.)[ns]

115

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Package Size [mm]

3.3x3.3 (t=0.75)

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Eigenschaften:

  • Low on - resistance
  • High Power small mold Package (HSMT8)
  • Pb-free plating ; RoHS compliant
  • Halogen Free
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