RH6R025BH
Leistungs-MOSFET, Nch 150V 25A, HSMT8
RH6R025BH
RH6R025BH
Leistungs-MOSFET, Nch 150V 25A, HSMT8
RH6R025BH ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand und Hochleistungsgehäuse, geeignet für Schaltanwendungen.
Data Sheet
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Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
HSMT8 (3.3x3.3)
Applications
Switching
Number of terminal
8
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
150
Drain Current ID[A]
25
RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ.)
0.049
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.046
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.049
Total gate charge Qg[nC]
11
Power Dissipation (PD)[W]
59
Drive Voltage[V]
6
Trr (Typ.)[ns]
115
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=0.75)
Eigenschaften:
- Low on - resistance
- High Power small mold Package (HSMT8)
- Pb-free plating ; RoHS compliant
- Halogen Free